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氮化矽陶瓷基板 (Si3N4)
氮化矽具有硬度大,強度高,熱膨脹係數小,抗氧化性能好,熱腐蝕性能好,摩擦係數小,高溫蠕變小,與有潤滑的金屬表面相似等諸多優異特性,是綜合性能最好的結構陶瓷材料。與其他陶瓷材料相比,氮化矽陶瓷材料具有明顯優勢。尤其是在高溫條件下氮化矽陶瓷材料表現出的耐高溫性能、對金屬的化學惰性、超高的硬度和斷裂韌性等力學性能。
陶瓷基板在半導體封裝中是以陶瓷覆銅板的形式使用的,氮化矽陶瓷基板優異的力學性能,使其可以塗覆更厚的金屬銅。此外氮化矽陶瓷覆銅板還具有更好的安培容量。由此可見氮化矽陶瓷是綜合了散熱性、可靠性和電性能最佳的半導體絕緣基板材料。
全球半導體器件技術都朝著更高的電壓,更大的電流和更大的功率密度方向發展,氮化矽陶瓷基板是集高導熱率,高可靠性於一身的綜合性能最佳的基板材料,目前氮化矽陶瓷基板產品已用於混合動力汽車/純電動汽車市場領域。(摘自新材料產業)。
Trend Electronics(HK) Ltd.
Toptrend Technologies Corp.
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