氮化矽具有硬度大，強度高，熱膨脹係數小，抗氧化性能好，熱腐蝕性能好，摩擦係數小，高溫蠕變小，與有潤滑的金屬表面相似等諸多優異特性，是綜合性能最好的結構陶瓷材料。與其他陶瓷材料相比，氮化矽陶瓷材料具有明顯優勢。尤其是在高溫條件下氮化矽陶瓷材料表現出的耐高溫性能、對金屬的化學惰性、超高的硬度和斷裂韌性等力學性能。

陶瓷基板在半導體封裝中是以陶瓷覆銅板的形式使用的，氮化矽陶瓷基板優異的力學性能，使其可以塗覆更厚的金屬銅。此外氮化矽陶瓷覆銅板還具有更好的安培容量。由此可見氮化矽陶瓷是綜合了散熱性、可靠性和電性能最佳的半導體絕緣基板材料。

全球半導體器件技術都朝著更高的電壓，更大的電流和更大的功率密度方向發展，氮化矽陶瓷基板是集高導熱率，高可靠性於一身的綜合性能最佳的基板材料，目前氮化矽陶瓷基板產品已用於混合動力汽車/純電動汽車市場領域。（摘自新材料產業）。

氮化矽陶瓷基板 (Si3N4)

公司於1996年自美國Hitachi Material（美國非晶材料製造廠）並引進整套美國GE公司的非晶質鐵心設計、製造技術，在GE公司的技術指導下，產製品質優良的非晶質變壓器。

非晶質鐵心變壓器